Мета: вивчення студентами фізичних процесів, що визначають принцип дії, властивості, характеристики і параметри різних напівпровідникових приладів у дискретному та інтегральному виконанні.
У результаті вивчення навчальної дисципліни студент повинен
знати:
– основні фізичні процеси та явища, що зумовлюють роботу твердотільних електронних приладів;
– фізичні та математичні моделі для твердотільних приладів;
– основні характеристики напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем;
– вплив характеристик матеріалів на властивості напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем;
– основні області застосування напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем
вміти:
– визначати параметри та характеристики твердотільних приладів та мікросхем;
– розраховувати параметри напівпровідникових приладів;
– визначати області застосування твердотільних електронних приладів.
Викладач дисципліни: Коротун Андрій Віталійович, канд. фіз.-матем. наук, доцент кафедри мікро- та наноелектроніки
Найменування показників
|
Галузь знань, напрям підготовки, освітньо-кваліфікаційний рівень
|
Характеристика навчальної дисципліни
|
денна форма навчання
|
заочна форма навчання
|
Кількість кредитів – 7,5
|
Галузь знань:
0508 „Електроніка“
|
нормативна
|
Напрям підготовки:
6.050801 „Мікро- та наноелектроніка“
|
Модулів – 2
|
Спеціальність (професійне спрямування):
7(8).05080101 „Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої“; 7.18010010 „Якість, стандартизація та сертифікація“
|
Рік підготовки:
|
Змістових модулів – 3
|
3-й
|
3-й
|
Індивідуальне науково-дослідне завдання Розрахунок електричних параметрів і характеристик напівпровідникових приладів
|
Семестр
|
Загальна кількість годин – 270
|
5-й
|
5-й
|
Лекції
|
Тижневих годин для денної форми навчання:
аудиторних – 6
самостійної роботи студента –
|
Освітньо-кваліфікаційний рівень: бакалавр
|
32 год.
|
10 год.
|
Практичні, семінарські
|
32 год.
|
8 год.
|
Лабораторні
|
32 год.
|
6 год.
|
Самостійна робота
|
120 год.
|
192 год.
|
Індивідуальні завдання: 54 год.
|
Вид контролю: іспит
|